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压阻式小量程SOI压力敏感结构仿真分析

作者:揣荣岩,吕品,杨宇新,张冰 | 压力敏感结构小量程灵敏度非线性过载soi技术

摘要:针对小量程MEMS压力传感器存在提高灵敏度与降低非线性相互制约的问题,利用板壳理论对小量程压力敏感结构进行了仿真分析,给出了兼顾这两个相互制约技术指标的设计方法。基于SOI技术设计了小量程压力敏感结构,通过感压膜片断裂前与衬底适当接触可使其过载能力得到有效提高。仿真结果表明,所设计的量程为5kPa的压力敏感芯片,其过载压力达到1MPa,1mA恒流源供电条件下,满量程输出为43.2mV。

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仪表技术与传感器

《仪表技术与传感器》(月刊)创刊于1964年,由沈阳仪表科学研究院有限公司主管,沈阳仪表科学研究院有限公司主办,CN刊号为:21-1154/TH,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。

《仪表技术与传感器》主要报导仪器仪表、敏感元件及传感器、电子元器件、检测设备、自动化控制系统以及相关的工艺技术、应用技术等,是中国仪器仪表行业最具影响力的期刊之一。

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